商品型号： FP25R12KT3
制造厂商： BUSSMANN
封装规格： IGBT
商品毛重： 180.00g
商品编号： CY607731
数据手册：
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商品描述： 类型:NPT 集射极击穿电压（最大值）:1200V 集电极电流（Ic）（最大值）:11A 栅极阈值电压-VGE(th):5V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.35V @ 15V,30A
数量
价格
1+
￥200
10+
￥190
50+
￥180
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-220
￥8.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管 | |
| 类型 | NPT | |
| 集射极击穿电压（最大值） | 1200V | |
| 集电极电流（Ic）（最大值） | 11A | |
| 栅极阈值电压-VGE(th) | 5V @ 250uA | |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 1.35V @ 15V,30A |
FP25R12KT3 英飞凌IGBT模块 FP25R12KT3
FP25R12KT3由BUSSMANN设计生产,在芯云购商城现货销售,FP25R12KT3价格参考￥200.000000。BUSSMANNFP25R12KT3封装/规格：IGBT,类型:NPT 集射极击穿电压（最大值）:1200V 集电极电流（Ic）（最大值）:11A 栅极阈值电压-VGE(th):5V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.35V @ 15V,30A
手机版：FP25R12KT3
20万现货SKU
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