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非接触式红外温度传感器温度传感器

封装: TO-46

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: CGQ0228

描述:

编号: CY205101

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥6.377400

10+: ￥6.315400

30+: ￥6.253400

100+: ￥6.191400

500+: ￥6.129400

1000+: ￥6.064700

个

个
盒

总额:￥6.38

有货

200个/盒

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AP6610S 线性稳压器(LDO)

封装: SOP-8

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP6610S

描述:

编号: CY981908

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥9.398100

10+: ￥9.332900

30+: ￥9.267700

100+: ￥9.202500

500+: ￥9.135000

1000+: ￥9.067500

个

个
圆盘

总额:￥9.40

有货

4000个/圆盘

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AP3401S MOS(场效应管)

封装: SOT23-3

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP3401S

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道 P沟道

编号: CY526068

数据手册

价格（含增值税）

10+: ￥1.340400

100+: ￥1.284200

300+: ￥1.228000

1000+: ￥1.171800

5000+: ￥1.115600

10000+: ￥1.059400

个

个
圆盘

总额:￥13.40

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3000个/圆盘

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AP4606 MOS(场效应管)

封装: SOP8

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP4606

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.9A,6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA,2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 6.9A,10V;35mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道 N沟道 30V 6.9A

编号: CY052626

数据手册

价格（含增值税）

5+: ￥4.111500

50+: ￥4.012500

150+: ￥4.010400

500+: ￥4.008300

2500+: ￥4.006200

5000+: ￥4.004100

个

个
圆盘

总额:￥20.56

有货

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AP4438 MOS(场效应管)

封装: SOT-89

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP4438

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道 30V 11.8A

编号: CY696738

数据手册

价格（含增值税）

5+: ￥8.045400

50+: ￥8.040100

150+: ￥8.034800

500+: ￥8.026100

2500+: ￥8.017400

5000+: ￥8.008700

个

个
圆盘

总额:￥40.23

有货

1000个/圆盘

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AP2302B MOS(场效应管)

封装: SOT-23

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP2302B

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 50uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道

编号: CY342335

数据手册

价格（含增值税）

50+: ￥5.526200

500+: ￥5.440100

1500+: ￥5.354000

5000+: ￥5.267900

25000+: ￥5.178600

50000+: ￥5.089300

个

个
圆盘

总额:￥276.31

有货

3000个/圆盘

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AP4953 MOS(场效应管)

封装: SOP8

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP4953

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道 P沟道

编号: CY236883

数据手册

价格（含增值税）

10+: ￥8.577800

100+: ￥8.483300

300+: ￥8.388800

1000+: ￥8.291600

5000+: ￥8.194400

10000+: ￥8.097200

个

个
圆盘

总额:￥85.78

有货

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AP040N03G MOS(场效应管)

封装: DFN5*6

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP040N03G

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,80A,3.6mΩ@10V

编号: CY645556

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥5.096800

10+: ￥5.081600

30+: ￥5.066400

100+: ￥5.051200

500+: ￥5.036000

1000+: ￥5.018000

个

个
圆盘

总额:￥5.10

有货

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AP8810 MOS(场效应管)

封装: TSSOP-8

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP8810

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道(共漏)

编号: CY356302

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥5.005900

10+: ￥5.005400

30+: ￥5.004900

100+: ￥5.004400

500+: ￥5.003900

1000+: ￥5.003400

个

个
圆盘

总额:￥5.01

有货

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AP83T03K MOS(场效应管)

封装: TO-252

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP83T03K

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,75A

编号: CY148563

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥2.444000

10+: ￥2.371400

30+: ￥2.298800

100+: ￥2.226200

500+: ￥2.150800

1000+: ￥2.075400

个

个
圆盘

总额:￥2.44

有货

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AP3407S MOS(场效应管)

封装: SOT23-3

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP3407S

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道

编号: CY649140

数据手册

价格（含增值税）

10+: ￥4.271200

100+: ￥4.227000

300+: ￥4.182800

1000+: ￥4.138600

5000+: ￥4.092400

10000+: ￥4.046200

个

个
圆盘

总额:￥42.71

有货

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AP30H150KA MOS(场效应管)

封装: TO-252

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP30H150KA

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,150A,2.3mΩ@10V

编号: CY704964

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥2.314600

10+: ￥2.264300

30+: ￥2.214000

100+: ￥2.160500

500+: ￥2.107000

1000+: ￥2.053500

个

个
圆盘

总额:￥2.31

有货

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AP4616 MOS(场效应管)

封装: SO-8

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP4616

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.8A,7.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：13.5mΩ @ 9A,10V;21mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道 N沟道 30V 9.8A，P沟道 -30V -7.6A

编号: CY623951

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥8.074400

10+: ￥8.062900

30+: ￥8.051400

100+: ￥8.039900

500+: ￥8.028400

1000+: ￥8.014200

个

个
圆盘

总额:￥8.07

有货

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AP30H100KA MOS(场效应管)

封装: TO-252

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP30H100KA

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,100A,3.6mΩ@10V

编号: CY887914

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥1.529600

10+: ￥1.442800

30+: ￥1.356000

100+: ￥1.267000

500+: ￥1.178000

1000+: ￥1.089000

个

个
圆盘

总额:￥1.53

有货

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AP0903Q MOS(场效应管)

封装: PMPAK3*3

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP0903Q

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道 N沟道,30V,16A,9mΩ@10V

编号: CY626828

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥6.450500

10+: ￥6.375900

30+: ￥6.301300

100+: ￥6.226700

500+: ￥6.152100

1000+: ￥6.077500

个

个
圆盘

总额:￥6.45

有货

5000个/圆盘

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AP045N03M MOS(场效应管)

封装: DFN3*3

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP045N03M

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道 N沟道,30V,75A,5mΩ@10V

编号: CY650200

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥4.180000

10+: ￥4.150400

30+: ￥4.120800

100+: ￥4.091200

500+: ￥4.061600

1000+: ￥4.030800

个

个
圆盘

总额:￥4.18

有货

5000个/圆盘

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AP050N03Q MOS(场效应管)

封装: DFN3.3*3.3

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP050N03Q

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：65A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,65A,4.5mΩ@10V

编号: CY698129

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥2.244500

10+: ￥2.205600

30+: ￥2.166700

100+: ￥2.127800

500+: ￥2.085200

1000+: ￥2.042600

个

个
圆盘

总额:￥2.24

有货

5000个/圆盘

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AP15P03Q MOS(场效应管)

封装: DFN3*3

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP15P03Q

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：P沟道 P沟道,-30V,-30A,15mΩ@-10V

编号: CY853839

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥2.340200

10+: ￥2.284800

30+: ￥2.229400

100+: ￥2.174000

500+: ￥2.116000

1000+: ￥2.058000

个

个
圆盘

总额:￥2.34

有货

5000个/圆盘

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AP30P30Q MOS(场效应管)

封装: DFN3*3

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP30P30Q

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：P沟道 P沟道,-30V,-30A,10mΩ@-10V

编号: CY977907

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥9.129900

10+: ￥9.108800

30+: ￥9.087700

100+: ￥9.066600

500+: ￥9.045500

1000+: ￥9.024400

个

个
圆盘

总额:￥9.13

有货

5000个/圆盘

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AP120N03K MOS(场效应管)

封装: TO-252

品牌: ALLPOWER(铨力)

型号: AP120N03K

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 30V 120A

编号: CY185136

数据手册

价格（含增值税）

1+: ￥3.128700

10+: ￥3.108500

30+: ￥3.088300

100+: ￥3.068100

500+: ￥3.045400

1000+: ￥3.022700

个

个
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总额:￥3.13

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2500个/圆盘

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