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AP045N03M

商品型号： AP045N03M

制造厂商： ALLPOWER(铨力)

封装规格： DFN3*3

商品毛重： 0.05g

商品编号： CY650200

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道 N沟道,30V,75A,5mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道 N沟道,30V,75A,5mΩ@10V

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AP045N03M由ALLPOWER(铨力)设计生产,在芯云购商城现货销售,AP045N03M价格参考￥4.180000。ALLPOWER(铨力)AP045N03M封装/规格：DFN3*3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道 N沟道,30V,75A,5mΩ@10V

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