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  • VSOP-8
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  • PPAK5x6
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  • SC-96
  • DFN-6L(2x2)
  • DFNWB-8L_3x2mm
  • PowerPAK- SC70-6L
  • SC-75A
  • SOT-23E
  • SOT-363R
  • X3-DSN2718-6
  • DFN3.3x3.3-8
  • TSMT6(SC-95)
  • DFN2*2B-6L
  • DFN2020-6L
  • DFN2*2-6L
  • PDFN2.9x2.8-8L
  • PMPAK3x3
  • UMT3
  • DFN2x3
  • V-DFN2050-4
  • PowerFLAT-3.3x3.3-8
  • X2-DFN1310-6
  • PDFN3.3x3.3-8
  • X3-DSN3518-6
  • USM
  • SC-75(SOT-523)
  • TO-252-5
  • PQFN 5x6
  • DFN5*6-8
  • DFN 2020-6D
  • LGA
  • SC-88A(SOT-353)
  • DFN5x6A-8_EP
  • TO-220R
  • DFN3x3-8
  • DFNWB2*2-6L-J
  • PPAK 5x6
  • PDFNWB3.3x3.3-B
  • DFN3.3x3.3B-8_EP
  • DFNWB3x3-8L-U
  • TDFN3.3X3.3
  • DFNWB3x3-8L-K
  • DFN_3x3mm
  • PDFNWB5*6-8L
  • PowerFLAt-5x6-HV
  • PowerDI5060-8(Type K)
  • EMT6
  • MPT3
  • VMT3
  • DFN-3
  • WBFBP-03E
  • DFN_5x6
  • DFN1006-3L-A
  • Super-247
  • TO-264-3
  • TO220AB
  • TO-126
  • DDPAK(TO-263)
  • TO-AB220
  • TO-220FP-3WideCreepage
  • HVM DIP
  • TO-220FL
  • T0-220
  • TO-247AC-3
  • TO-251-S
  • ITO-220S
  • TO-220IS(1)
  • TO-220FM-3
  • TO-264AA(IXFK)
  • T0-220F
  • TO-251D-3L
  • TO-220TF
  • TO-3PFM
  • DFN3.3X3.3-8
  • SOT-223-3L
  • 8-SO
  • PR-PACK(3*3)
  • DFN 2x5
  • T0-263
  • TO-220(P)
  • SOT-363-6
  • MOSFETNCH60V20ATO252
  • DFNWB2*5-6L
  • HSMT-8
  • PMPAK-5X6
  • TO-262-3
  • DFN5x6-8_EP
  • I-PAK
  • TSOT-23-6
  • DFN 3.3x3.3B-8
  • TO-92_Forming1
  • T0-252
  • PG-TDSON-8-4
  • SON-8_5x6mm
  • LFPAK56-4
  • DFN 2x3
  • V-DFN5045-12
  • TSMT8
  • 8-MLP(3.3x3.3)
  • DFN33PPAK
  • PPAK-3x3
  • DFN3x3E-8
  • PowerFLAT-5x6-VHV-8
  • DFN 3.3x3.3-8
  • SOD-323
  • SOT-143
  • DFN 3.3x3.3

类型

  • N沟道(4个)
  • N沟道
  • N沟道P沟道
  • N沟道和P沟道
  • P沟道
  • P沟道,肖特基
  • 双N沟道
  • 双N沟道(共漏)
  • 双N沟道(半桥)

漏源电压(Vdss)

  • -6V
  • -8V
  • -12V
  • 13.5V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

  • 5mA
  • 10mA
  • 13mA(Tj)
  • 21mA
  • 30mA(Tc)

栅源极阈值电压

  • 400mV @ 1mA(最小)
  • 450mV @ 250uA
  • 450mV @ 250uA(最小)
  • 500mV @ 250uA(最小)
  • 500mV @ 250uA(标准)
  • 570mV @ 1mA
  • 600mV @ 250uA
  • 600mV @ 250uA(最小)
  • 600mV @ 250uA,700mV @ 250uA

漏源导通电阻

  • 0.5mΩ @ 37A, 10V
  • 0.65mΩ @ 100A,10V
  • 0.67mΩ @ 50A,10V
  • 0.7mΩ @ 30A,10V
  • 0.7mΩ @ 50A,10V
  • 0.72mΩ @ 25A,10V
  • 0.72mΩ @ 100A, 10V
  • 0.75mΩ @ 100A, 10V
  • 0.75mΩ @ 100A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

  • 2mW
  • 125mW
  • 140mW
  • 0.15W
  • 150mW(Tc)
  • 155mW
  • 170mW

包装/方式

  • 圆盘
  • 托盘
筛选结果:1002

综合排序

价格

销量

符合条件商品:共 1/433

IPB180N04S4-H0 MOS(场效应管)

封装: PG-TO263-7

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IPB180N04S4-H0

描述: IPB180N04S4-H0 21 PG-TO263-7

编号: CY903087

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥100

500+: ¥95

1000+: ¥90

5000+: ¥85

  • 圆盘

总额:¥1000.00

有货

1000个/圆盘

近期成交:1单

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IPB180N04S4-01 MOS(场效应管)

封装: PG-TO263

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IPB180N04S4-01

描述: IPB180N04S4-01 21 PG-TO263

编号: CY102051

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥100

500+: ¥95

1000+: ¥90

5000+: ¥85

  • 圆盘

总额:¥1000.00

有货

1000个/圆盘

近期成交:3单

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SI7119DN-T1-E3 MOS(场效应管)

封装: PowerPAK 1212-8

品牌: VISHAY(威世)

型号: SI7119DN-T1-E3

描述: SI7119DN-T1-E3 21 PowerPAK 1212-8

编号: CY509377

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥10

100+: ¥8

1000+: ¥6

3000+: ¥4.65

  • 圆盘

总额:¥100.00

有货

3000个/圆盘

近期成交:1单

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SI7119DN-T1-GE3 MOS(场效应管)

封装: QFN8

品牌: VISHAY(威世)

型号: SI7119DN-T1-GE3

描述: SI7119DN-T1-GE3 20+ QFN8

编号: CY924112

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥10

100+: ¥8

500+: ¥6

1000+: ¥5

3000+: ¥4.5

总额:¥100.00

有货

3000个/盒

近期成交:1单

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IRFP4468PBF 场效应管 195A 100V IRFP4468 MOS(场效应管)

封装: TO-247

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IRFP4468PBF

描述: IRFP4468PBF 20+ TO-247

编号: CY762052

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥35

100+: ¥33

1000+: ¥30

总额:¥350.00

有货

25个/管

近期成交:1单

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BUK6C2R1-55C MOS(场效应管)

封装: TO263-7

品牌: NXP(恩智浦)

型号: BUK6C2R1-55C

描述: BUK6C2R1-55C 20+ TO263-7

编号: CY690024

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥20

100+: ¥19

500+: ¥18

1000+: ¥15

总额:¥200.00

有货

800个/盒

近期成交:1单

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CSD17581Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET MOS(场效应管)

封装: VSOP8

品牌: TI(德州仪器)

型号: CSD17581Q3A

描述: CSD17581Q3A 20+ VSOP8

编号: CY578836

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥10

100+: ¥8

500+: ¥6.5

1000+: ¥5

2500+: ¥3.5

5000+: ¥3

总额:¥100.00

有货

2500个/盒

近期成交:1单

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CSD17578Q3A MOS(场效应管)

封装: VSOP-8

品牌: TI(德州仪器)

型号: CSD17578Q3A

描述: CSD17578Q3A 20+ VSOP-8

编号: CY756829

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥10

100+: ¥5

1000+: ¥3

2500+: ¥2.45

总额:¥100.00

有货

2500个/盒

近期成交:1单

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CSD17551Q3A MOS(场效应管)

封装: VSOP8

品牌: TI(德州仪器)

型号: CSD17551Q3A

描述: CSD17551Q3A 20+ VSOP8

编号: CY259020

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥10

100+: ¥5

250+: ¥4.85

1000+: ¥3.65

总额:¥100.00

有货

2500个/盒

近期成交:1单

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CSD17578Q3AT MOS(场效应管)

封装: DNH-8

品牌: TI(德州仪器)

型号: CSD17578Q3AT

描述: CSD17578Q3AT 21 DNH-8

编号: CY991920

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥10

100+: ¥6

250+: ¥5

1000+: ¥4.5

2000+: ¥3.5

总额:¥100.00

有货

250个/盒

近期成交:1单

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CSD19533Q5A MOS(场效应管)

封装: VSONP-8

品牌: TI(德州仪器)

型号: CSD19533Q5A

描述: CSD19533Q5A 21 VSONP-8

编号: CY570799

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥10

100+: ¥8

500+: ¥6.5

1000+: ¥6

2500+: ¥5.65

总额:¥100.00

有货

2500个/盒

近期成交:1单

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CSD19533Q5AT MOS(场效应管)

封装: VSOP8

品牌: TI(德州仪器)

型号: CSD19533Q5AT

描述: CSD19533Q5AT 21 VSOP8

编号: CY289193

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥10

100+: ¥8

250+: ¥6.5

1000+: ¥5.95

总额:¥100.00

有货

250盒/盒

近期成交:1单

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IPD50N04S4L-08 OptiMOS-T 40V 适用于轻负载控制开关 MOS(场效应管)

封装: TO-252-3

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IPD50N04S4L-08

描述: IPD50N04S4L-08 21 TO-252-3

编号: CY840488

数据手册

价格(含增值税)

100+: ¥10

500+: ¥8

1000+: ¥5

2500+: ¥3.8

总额:¥1000.00

有货

2500个/盒

近期成交:1单

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IPD50N04S4-08 OptiMOS-T 40V 适用于轻负载控制开关 MOS(场效应管)

封装: TO-252-3

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IPD50N04S4-08

描述: IPD50N04S4-08 20+ TO-252-3

编号: CY688095

数据手册

价格(含增值税)

100+: ¥10

500+: ¥6.5

1000+: ¥5

2500+: ¥3.8

  • 托盘

总额:¥1000.00

有货

50个/托盘

近期成交:1单

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AUIRFS8409-7P 场效应MOS管 MOS(场效应管)

封装: TO-263

品牌: IR 国际整流器

型号: AUIRFS8409-7P

描述: 类型:N沟道(4个) 漏源电压(Vdss):-12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10mA 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:0.75mΩ @ 100A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW

编号: CY589076

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥7

100+: ¥6.5

500+: ¥6

1000+: ¥5

总额:¥70.00

有货

50个/管

近期成交:1单

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IRF9630PBF MOS(场效应管)

封装: TO220

品牌: VISHAY(威世)

型号: IRF9630PBF

描述: IRF9630PBF 20+ TO220

编号: CY875791

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥5

100+: ¥3.5

500+: ¥2.2

1000+: ¥3

总额:¥50.00

有货

50个/管

近期成交:1单

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IRF3205PBF 55V 110A 单N沟道 TO-220场效应管 IRF3205PBF 英飞凌MOS管 MOS(场效应管)

封装: TO220

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IRF3205PBF

描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):-12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10mA 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:0.67mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140mW

编号: CY427288

数据手册

价格(含增值税)

1+: ¥5

10+: ¥4.5

100+: ¥4.3

1000+: ¥4

总额:¥5.00

有货

50个/管

近期成交:3单

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IRF9540NPBF Infineon英飞凌 IRF9540NPBF 直插P沟道100V23A MOS(场效应管)

封装: TO220

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IRF9540NLPBF

描述: 类型:N沟道(4个) 漏源电压(Vdss):-12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10mA 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:0.65mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW

编号: CY988507

数据手册

价格(含增值税)

1+: ¥4

100+: ¥3.8

500+: ¥3.65

1000+: ¥3.5

总额:¥4.00

有货

1000个/管

近期成交:2单

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SIF9N50D MOS(场效应管)

封装: TO220

品牌: ST(意法半导体)

型号: SIF9N50D

描述: SIF9N50D 20+ TO220

编号: CY264968

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥5

50+: ¥3

100+: ¥2.8

1000+: ¥2.5

  • 托盘

总额:¥50.00

有货

50个/托盘

近期成交:1单

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FDN340P-NL 丝印340 20V 1.6A 贴片MOS管 P沟道场效应管 MOS(场效应管)

封装: SOT23-3

品牌: VBsemi(台湾微碧)

型号: FDN340P-NL

描述: FDN340P-NL 21 SOT23-3

编号: CY790988

数据手册

价格(含增值税)

10+: ¥2

100+: ¥1.8

500+: ¥1.5

1000+: ¥1.2

  • 圆盘

总额:¥20.00

有货

3000个/圆盘

近期成交:1单

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