IS61WV6416BLL-12TL 商业级

商品型号： IS61WV6416BLL-12TL

制造厂商： ISSI(美国芯成)

封装规格： TSOP(II)-44

商品毛重： 1.38g

商品编号： CY551758

数据手册：在线预览

商品描述：存储器容量：1Mb (64K x 16) 存储器类型：Volatile 工作电压：2.5V ~ 3.6V 存储器接口类型：Parallel 1-Mbit(64K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	SRAM存储器
存储器构架(格式)	SRAM
存储器接口类型	Parallel
存储器容量	1Mb (64K x 16)
工作电压	2.5V ~ 3.6V
存储器类型	Volatile

存储器容量：1Mb (64K x 16) 存储器类型：Volatile 工作电压：2.5V ~ 3.6V 存储器接口类型：Parallel 1-Mbit(64K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

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IS61WV6416BLL-12TL由ISSI(美国芯成)设计生产,在芯云购商城现货销售,IS61WV6416BLL-12TL价格参考￥5.514200。ISSI(美国芯成)IS61WV6416BLL-12TL封装/规格：TSOP(II)-44,存储器容量：1Mb (64K x 16) 存储器类型：Volatile 工作电压：2.5V ~ 3.6V 存储器接口类型：Parallel 1-Mbit(64K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

手机版：IS61WV6416BLL-12TL