商品型号： SI3400A-TP
制造厂商： MCC(美微科)
封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY794945
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道
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品牌： IXYS
封装： TO-247
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封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
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￥8.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 400mW | |
| 类型 | N沟道 |
SI3400A-TP由MCC(美微科)设计生产,在芯云购商城现货销售,SI3400A-TP价格参考￥5.031200。MCC(美微科)SI3400A-TP封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道
手机版：SI3400A-TP
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