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BSC059N04LSG 40V/73A/N沟道/DFN5X6-8封装MOS管 英飞凌场效应管 BSC059N04LSG
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BSC059N04LSG 40V/73A/N沟道/DFN5X6-8封装MOS管 英飞凌场效应管 BSC059N04LSG

商品型号: BSC059N04LSG

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: DFN5X6-8

商品毛重: 0.05g

商品编号: CY126510

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商品描述: BSC059N04LSG 21 DFN5X6-8

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商品目录 MOS(场效应管)

BSC059N04LSG 40V/73A/N沟道/DFN5X6-8封装MOS管 英飞凌场效应管 BSC059N04LSG

连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 23uA 漏源导通电阻:5.9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,40V,16A,5.9mΩ@10V

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BSC059N04LSG由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC059N04LSG价格参考¥6.000000。Infineon(英飞凌)BSC059N04LSG封装/规格:DFN5X6-8,BSC059N04LSG 21 DFN5X6-8

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