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IPS60R400CE

商品型号: IPS60R400CE

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: PG-TO251-3

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY914893

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.7A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.5V @ 300uA 漏源导通电阻:400mOhm @ 3.8A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):112W (Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 14.7A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.7A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.5V @ 300uA 漏源导通电阻:400mOhm @ 3.8A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):112W (Tc) 类型:N沟道

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IPS60R400CE由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPS60R400CE价格参考¥8.370400。Infineon(英飞凌)IPS60R400CE封装/规格:PG-TO251-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.7A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.5V @ 300uA 漏源导通电阻:400mOhm @ 3.8A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):112W (Tc) 类型:N沟道

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