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IXTQ88N30P IXYS场效应功放管 IXTQ88N30P 88A/300V
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IXTQ88N30P IXYS场效应功放管 IXTQ88N30P 88A/300V

商品型号: IXTQ88N30P

制造厂商: IXYS

封装规格: TO-247

商品毛重: 7.22g

商品编号: CY247699

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商品描述: 类型:N沟道P沟道 漏源电压(Vdss):13.5V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10mA 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:0.65mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道P沟道
漏源电压(Vdss) 13.5V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 10mA
栅源极阈值电压 450mV @ 250uA(最小)
漏源导通电阻 0.65mΩ @ 100A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 125mW

连续漏极电流(Id)(25°C 时):88A(Tc) 漏源电压(Vdss):300V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 44A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):600W(Tc) 类型:N沟道

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IXTQ88N30P由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXTQ88N30P价格参考¥20.000000。IXYSIXTQ88N30P封装/规格:TO-247,类型:N沟道P沟道 漏源电压(Vdss):13.5V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10mA 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:0.65mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW

手机版:IXTQ88N30P