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IPP041N12N3 G

商品型号： IPP041N12N3 G

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO220-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY187292

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 270uA 漏源导通电阻：4.1mΩ @ 100A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	120V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 270uA 漏源导通电阻：4.1mΩ @ 100A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道

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IPP041N12N3 G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPP041N12N3 G价格参考￥3.032800。Infineon(英飞凌)IPP041N12N3 G封装/规格：PG-TO220-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 270uA 漏源导通电阻：4.1mΩ @ 100A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道

手机版：IPP041N12N3 G