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IPB160N04S2-03

商品型号： IPB160N04S2-03

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO263-7

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY043910

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：160A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250?A 漏源导通电阻：2.9mOhm @ 60A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：160A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250?A 漏源导通电阻：2.9mOhm @ 60A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W (Tc) 类型：N沟道

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手机版：IPB160N04S2-03