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BSC026NE2LS5ATMA1

商品型号: BSC026NE2LS5ATMA1

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: PG-TDSON-8

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY863268

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,25V,24A,2.6mΩ@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 25V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 24A
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.5W
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,25V,24A,2.6mΩ@10V

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BSC026NE2LS5ATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC026NE2LS5ATMA1价格参考¥3.068400。Infineon(英飞凌)BSC026NE2LS5ATMA1封装/规格:PG-TDSON-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,25V,24A,2.6mΩ@10V

手机版:BSC026NE2LS5ATMA1