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FDMA420NZ

商品型号: FDMA420NZ

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: MicroFET-6 2×2

商品毛重: 0.02g

商品编号: CY565030

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.7A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:N沟道 N沟道,20V,5.7A,30mΩ@4.5V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.7A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:N沟道 N沟道,20V,5.7A,30mΩ@4.5V

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FDMA420NZ由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDMA420NZ价格参考¥9.224900。ON(安森美)FDMA420NZ封装/规格:MicroFET-6 2×2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.7A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:N沟道 N沟道,20V,5.7A,30mΩ@4.5V

手机版:FDMA420NZ