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BSC117N08NS5

商品型号: BSC117N08NS5

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: PG-TDSON-8

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY050486

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):49A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:3.8V @ 22uA 漏源导通电阻:11.7mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道

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总   价: ¥8.30

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 80V
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.5W
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):49A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:3.8V @ 22uA 漏源导通电阻:11.7mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道

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BSC117N08NS5由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC117N08NS5价格参考¥8.304300。Infineon(英飞凌)BSC117N08NS5封装/规格:PG-TDSON-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):49A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:3.8V @ 22uA 漏源导通电阻:11.7mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道

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