商品型号： WPH4003-1E
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-3PF-3L
商品毛重： 7.60g
商品编号： CY887483
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1700V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：10.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道 N沟道 1700V
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1+
￥3.3586
10+
￥3.2999
30+
￥3.2412
100+
￥3.1825
500+
￥3.1238
1000+
￥3.0619
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￥15.00
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￥25.00
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封装： TO3P
￥25.00
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封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 栅源极阈值电压 | - | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3W | |
| 类型 | N沟道 |
WPH4003-1E由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,WPH4003-1E价格参考￥3.358600。ON(安森美)WPH4003-1E封装/规格：TO-3PF-3L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1700V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：10.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道 N沟道 1700V
手机版：WPH4003-1E
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