收藏商品技术手册

IPD60R3K3C6ATMA1

商品型号： IPD60R3K3C6ATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.48g

商品编号： CY821815

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.5V @ 40uA 漏源导通电阻：3.3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：18.1W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,1.7A,3.3Ω@10V

交货地:国内货期(工作日):立即发货

库存:现货1438(2500起订)

数量: X ￥4.2918

总价: ￥4.29

包装:「袋 / 2500」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

数量

价格
1+

￥4.2918
10+

￥4.2455
30+

￥4.1964
100+

￥4.1473
500+

￥4.0982
1000+

￥4.0491

规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.5V @ 40uA 漏源导通电阻：3.3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：18.1W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,1.7A,3.3Ω@10V

热门型号推荐
最新商品推荐
知名品牌推荐

芯云购电子元器件商城提供IPD60R3K3C6ATMA1引脚图查看，IPD60R3K3C6ATMA1中文资料pdf下载，IPD60R3K3C6ATMA1使用说明书查看，IPD60R3K3C6ATMA1参数pdf下载, IPD60R3K3C6ATMA1工作原理，IPD60R3K3C6ATMA1驱动电路图，IPD60R3K3C6ATMA1数据手册，IPD60R3K3C6ATMA1如何测量, IPD60R3K3C6ATMA1接线图查看

IPD60R3K3C6ATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD60R3K3C6ATMA1价格参考￥4.291800。Infineon(英飞凌)IPD60R3K3C6ATMA1封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.5V @ 40uA 漏源导通电阻：3.3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：18.1W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,1.7A,3.3Ω@10V

手机版：IPD60R3K3C6ATMA1