商品型号： FDMC86116LZ
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： 8-MLP(Power33)
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY826536
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：103mΩ @ 3.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W 类型：N沟道 N沟道,100V,7.5A,103mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7.5A | |
| 类型 | N沟道 |
FDMC86116LZ由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDMC86116LZ价格参考￥4.015600。ON(安森美)FDMC86116LZ封装/规格：8-MLP(Power33),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：103mΩ @ 3.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W 类型：N沟道 N沟道,100V,7.5A,103mΩ@10V
手机版：FDMC86116LZ
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