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RHP030N03T100

商品型号: RHP030N03T100

制造厂商: ROHM(罗姆)

封装规格: SOT-89

商品毛重: 0.13g

商品编号: CY122244

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:120mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3A
最大功率耗散(Ta=25°C) 500mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:120mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道

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RHP030N03T100由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,RHP030N03T100价格参考¥4.030000。ROHM(罗姆)RHP030N03T100封装/规格:SOT-89,连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:120mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道

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