商品型号： FCD620N60ZF
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： D-PAK
商品毛重： 0.37g
商品编号： CY820487
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.3A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：620mΩ @ 3.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：89W 类型：N沟道 N沟道,600V,7.3A,620mΩ@10V
数量
价格
1+
￥1.132
10+
￥1.1003
30+
￥1.0686
100+
￥1.0343
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
FCD620N60ZF由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FCD620N60ZF价格参考￥1.132000。ON(安森美)FCD620N60ZF封装/规格：D-PAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.3A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：620mΩ @ 3.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：89W 类型：N沟道 N沟道,600V,7.3A,620mΩ@10V
手机版：FCD620N60ZF
20万现货SKU
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