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HSBB3016

商品型号: HSBB3016

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: PRPAK3x3

商品毛重: 0.06g

商品编号: CY997666

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43.4W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥5.06

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 30A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43.4W 类型:N沟道

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HSBB3016由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSBB3016价格参考¥5.061400。HUASHUO(华朔)HSBB3016封装/规格:PRPAK3x3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43.4W 类型:N沟道

手机版:HSBB3016