商品型号: FDP032N08B-F102
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: TO-220(TO-220-3)
商品毛重: 2.76g
商品编号: CY103587
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250A 漏源导通电阻:3.3mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):263W 类型:N沟道 80V、211A N沟道
数量
价格
1+
¥6.0812
10+
¥6.042
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
类型 | N沟道 |
FDP032N08B-F102由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDP032N08B-F102价格参考¥6.081200。ON(安森美)FDP032N08B-F102封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250A 漏源导通电阻:3.3mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):263W 类型:N沟道 80V、211A N沟道
手机版:FDP032N08B-F102
20万现货SKU
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