商品型号： RU30C8H
制造厂商： Ruichips(锐骏半导体)
封装规格： SOP-8_150mil
商品毛重： 0.24g
商品编号： CY027066
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A,7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 8A,10V;25mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道 N沟道,30V,8A
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | N沟道和P沟道 |
RU30C8H由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU30C8H价格参考￥9.454600。Ruichips(锐骏半导体)RU30C8H封装/规格：SOP-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A,7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 8A,10V;25mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道 N沟道,30V,8A
手机版：RU30C8H
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