商品型号: G01N20R
制造厂商: GOFORD(谷峰)
封装规格: TO-92
商品毛重: 0.21g
商品编号: CY880361
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:1.76Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道 200V 2A 1.34Ω@10V
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 2A | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 3W | |
类型 | N沟道 |
G01N20R由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G01N20R价格参考¥3.211000。GOFORD(谷峰)G01N20R封装/规格:TO-92,连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:1.76Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道 200V 2A 1.34Ω@10V
手机版:G01N20R
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