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FHU100N03B

商品型号： FHU100N03B

制造厂商： FeiHong(飞虹)

封装规格： TO-251

商品毛重： 3.20g

商品编号： CY814941

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：5.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44.6W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：5.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44.6W(Tc) 类型：N沟道

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FHU100N03B由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHU100N03B价格参考￥6.298200。FeiHong(飞虹)FHU100N03B封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：5.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44.6W(Tc) 类型：N沟道

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