商品型号： FDME1024NZT
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： MicroFET 1.6×1.6
商品毛重： 0.01g
商品编号： CY564590
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：66mΩ @ 3.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：双N沟道 N沟道,20V,3.8A,66mΩ@4.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | 双N沟道 |
FDME1024NZT由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDME1024NZT价格参考￥6.276800。ON(安森美)FDME1024NZT封装/规格：MicroFET 1.6×1.6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：66mΩ @ 3.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：双N沟道 N沟道,20V,3.8A,66mΩ@4.5V
手机版：FDME1024NZT
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