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TK32E12N1,S1X

商品型号： TK32E12N1,S1X

制造厂商： TOSHIBA(东芝)

封装规格： TO-220(TO-220-3)

商品毛重： 2.67g

商品编号： CY442425

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 500uA 漏源导通电阻：13.8mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：98W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	120V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 500uA 漏源导通电阻：13.8mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：98W(Tc) 类型：N沟道

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TK32E12N1,S1X由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,TK32E12N1,S1X价格参考￥8.102600。TOSHIBA(东芝)TK32E12N1,S1X封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 500uA 漏源导通电阻：13.8mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：98W(Tc) 类型：N沟道

手机版：TK32E12N1,S1X