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IRL630SPBF

商品型号: IRL630SPBF

制造厂商: VISHAY(威世)

封装规格: TO-263-2

商品毛重: 2.00g

商品编号: CY687230

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 5.4A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥2.22

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 9A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 5.4A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道

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IRL630SPBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRL630SPBF价格参考¥2.220800。VISHAY(威世)IRL630SPBF封装/规格:TO-263-2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 5.4A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道

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