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BSC0921NDIATMA1

商品型号： BSC0921NDIATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TDSON-8

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY771976

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A,31A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双N沟道两个N沟道,30V,17A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1W
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A,31A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双N沟道两个N沟道,30V,17A

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BSC0921NDIATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC0921NDIATMA1价格参考￥9.569300。Infineon(英飞凌)BSC0921NDIATMA1封装/规格：PG-TDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A,31A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双N沟道两个N沟道,30V,17A

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