商品型号： FDS8842NZ
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： SO-8
商品毛重： 0.11g
商品编号： CY210293
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14.9A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 14.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货2020(2500起订)
数 量: X ￥7.0413
总 价: ￥7.04
包 装:「圆盘 / 2500」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥7.0413
10+
￥7.0315
30+
￥7.0217
100+
￥7.0119
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
FDS8842NZ由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDS8842NZ价格参考￥7.041300。ON(安森美)FDS8842NZ封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14.9A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 14.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
手机版：FDS8842NZ
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监