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DMN6013LFG-7

商品型号: DMN6013LFG-7

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: PowerDI 3333-8

商品毛重: 0.15g

商品编号: CY967002

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道 N沟道,60V,10.3A,13mΩ@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
最大功率耗散(Ta=25°C) 1W
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道 N沟道,60V,10.3A,13mΩ@10V

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DMN6013LFG-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN6013LFG-7价格参考¥4.563700。DIODES(美台)DMN6013LFG-7封装/规格:PowerDI 3333-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道 N沟道,60V,10.3A,13mΩ@10V

手机版:DMN6013LFG-7