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MTD120C10KQ8

商品型号： MTD120C10KQ8

制造厂商： 3PEAK

封装规格： SOP-8

商品毛重： 0.13g

商品编号： CY888887

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.4A(Tc),3.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 2A,10V;130mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：N沟道和P沟道 100V,-100V/3.4A,-3.9A@TC=25℃/N+P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道和P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.4A(Tc),3.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 2A,10V;130mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：N沟道和P沟道 100V,-100V/3.4A,-3.9A@TC=25℃/N+P沟道

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MTD120C10KQ8由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MTD120C10KQ8价格参考￥8.284200。3PEAKMTD120C10KQ8封装/规格：SOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.4A(Tc),3.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 2A,10V;130mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：N沟道和P沟道 100V,-100V/3.4A,-3.9A@TC=25℃/N+P沟道

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