商品型号： VN10LP
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： TO-92(TO-92-3)
商品毛重： 0.22g
商品编号： CY441303
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：270mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：625mW 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 625mW | |
| 类型 | N沟道 |
VN10LP由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,VN10LP价格参考￥3.067800。DIODES(美台)VN10LP封装/规格：TO-92(TO-92-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：270mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：625mW 类型：N沟道
手机版：VN10LP
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