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RU30L15H

商品型号: RU30L15H

制造厂商: Ruichips(锐骏半导体)

封装规格: SOP-8_150mil

商品毛重: 0.24g

商品编号: CY136148

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-30V,-14.5A

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-30V,-14.5A

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RU30L15H由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU30L15H价格参考¥8.523200。Ruichips(锐骏半导体)RU30L15H封装/规格:SOP-8_150mil,连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-30V,-14.5A

手机版:RU30L15H