商品型号： RU602B
制造厂商： Ruichips(锐骏半导体)
封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY194115
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道,60V,1.5A,250mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.5A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | |
| 类型 | N沟道 |
RU602B由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU602B价格参考￥7.418200。Ruichips(锐骏半导体)RU602B封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道,60V,1.5A,250mΩ@10V
手机版：RU602B
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