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FDG316P

商品型号: FDG316P

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: SC70-6

商品毛重: 0.49g

商品编号: CY906907

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.6A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 1.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:P沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 1.6A
最大功率耗散(Ta=25°C) 750mW
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.6A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 1.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:P沟道

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FDG316P由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDG316P价格参考¥2.056700。ON(安森美)FDG316P封装/规格:SC70-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.6A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 1.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:P沟道

手机版:FDG316P