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ZXMS6004DGTA

商品型号: ZXMS6004DGTA

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: SOT-223

商品毛重: 0.23g

商品编号: CY086494

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:600mΩ @ 500mA,3V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:N沟道 N沟道,60V,1.3A

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
栅源极阈值电压 -
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:600mΩ @ 500mA,3V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:N沟道 N沟道,60V,1.3A

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ZXMS6004DGTA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZXMS6004DGTA价格参考¥1.323100。DIODES(美台)ZXMS6004DGTA封装/规格:SOT-223,连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:600mΩ @ 500mA,3V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:N沟道 N沟道,60V,1.3A

手机版:ZXMS6004DGTA