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VBJ2658

商品型号: VBJ2658

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SOT-223

商品毛重: 0.40g

商品编号: CY700125

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):10.4W 类型:P沟道 P沟道,-60V,-6.5A,58mΩ@10V

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 7A
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):10.4W 类型:P沟道 P沟道,-60V,-6.5A,58mΩ@10V

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VBJ2658由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBJ2658价格参考¥8.173200。VBsemi(台湾微碧)VBJ2658封装/规格:SOT-223,连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):10.4W 类型:P沟道 P沟道,-60V,-6.5A,58mΩ@10V

手机版:VBJ2658