商品型号： FIR20N65AFG
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.38g
商品编号： CY563951
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：420mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：239W(Tc) 类型：N沟道 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。
数量
价格
1+
￥6.1221
10+
￥6.104
30+
￥6.0832
100+
￥6.0624
500+
￥6.0416
1000+
￥6.0208
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
FIR20N65AFG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,FIR20N65AFG价格参考￥6.122100。3PEAKFIR20N65AFG封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：420mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：239W(Tc) 类型：N沟道 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。
手机版：FIR20N65AFG
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