商品型号: VBE1206
制造厂商: VBsemi(台湾微碧)
封装规格: TO-252
商品毛重: 0.86g
商品编号: CY320624
数据手册:
在线预览
商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):65A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 20A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):71W 类型:N沟道 N沟道,20V,45A,6mΩ@4.5V
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货2634(2500起订)
数 量: X ¥4.4222
总 价: ¥4.42
包 装:「圆盘 / 2500」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
¥4.4222
10+
¥4.3527
30+
¥4.2832
100+
¥4.2137
500+
¥4.1442
1000+
¥4.0721
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 |
VBE1206由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBE1206价格参考¥4.422200。VBsemi(台湾微碧)VBE1206封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):65A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 20A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):71W 类型:N沟道 N沟道,20V,45A,6mΩ@4.5V
手机版:VBE1206
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件