商品型号： LSE60R180HT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-263-2L
商品毛重： 1.59g
商品编号： CY014283
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥2.3876
10+
￥2.3246
30+
￥2.2616
100+
￥2.1962
500+
￥2.1308
1000+
￥2.0654
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | N沟道 |
LSE60R180HT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSE60R180HT价格参考￥2.387600。LONTEN(龙腾半导体)LSE60R180HT封装/规格：TO-263-2L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
手机版：LSE60R180HT
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