商品型号： EMB03N03HR
制造厂商： 3PEAK
封装规格： EDFN5*6
商品毛重： 0.25g
商品编号： CY202625
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
EMB03N03HR由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,EMB03N03HR价格参考￥8.047100。3PEAKEMB03N03HR封装/规格：EDFN5*6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
手机版：EMB03N03HR
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