商品型号： VB162K
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SOT-23-3
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY832244
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：250mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.3Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道 N沟道,60V,2.5A,2.8Ω@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 250mA | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300mW | |
| 类型 | N沟道 |
VB162K由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VB162K价格参考￥4.349200。VBsemi(台湾微碧)VB162K封装/规格：SOT-23-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：250mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.3Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道 N沟道,60V,2.5A,2.8Ω@10V
手机版：VB162K
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