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LPM3400B3F

商品型号: LPM3400B3F

制造厂商: LOWPOWER(微源半导体)

封装规格: SOT23-3

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY162785

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 20V N沟道MOS

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 20V N沟道MOS

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LPM3400B3F由LOWPOWER(微源半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LPM3400B3F价格参考¥1.254000。LOWPOWER(微源半导体)LPM3400B3F封装/规格:SOT23-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 20V N沟道MOS

手机版:LPM3400B3F