商品型号： AP83T03GM
制造厂商： APEC(富鼎)
封装规格： SO-8
商品毛重： 0.20g
商品编号： CY719659
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 16A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
AP83T03GM由APEC(富鼎)设计生产,在芯云购商城现货销售,AP83T03GM价格参考￥2.441400。APEC(富鼎)AP83T03GM封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道
手机版：AP83T03GM
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