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JST8205S

商品型号: JST8205S

制造厂商: JESTEK(吉思泰)

封装规格: SOT23-6L

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY861545

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:27.5mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道 N沟道 20V 7.6A

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥1.2008

总   价: ¥12.01

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:27.5mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道 N沟道 20V 7.6A

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JST8205S由JESTEK(吉思泰)设计生产,在芯云购商城现货销售,JST8205S价格参考¥1.200800。JESTEK(吉思泰)JST8205S封装/规格:SOT23-6L,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:27.5mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道 N沟道 20V 7.6A

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