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MEM2302M3G

商品型号: MEM2302M3G

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY688765

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道 N沟道

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总   价: ¥40.49

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道 N沟道

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MEM2302M3G由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MEM2302M3G价格参考¥4.048700。3PEAKMEM2302M3G封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道 N沟道

手机版:MEM2302M3G