商品型号: IRLR3114ZTRPBF
制造厂商: Infineon(英飞凌)
封装规格: TO-252-2(DPAK)
商品毛重: 5.49g
商品编号: CY770448
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 100uA 漏源导通电阻:4.9mΩ @ 42A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W 类型:N沟道 N沟道,40V,130A,6.5mΩ@4.5V
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 140W | |
类型 | N沟道 |
IRLR3114ZTRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRLR3114ZTRPBF价格参考¥8.331200。Infineon(英飞凌)IRLR3114ZTRPBF封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 100uA 漏源导通电阻:4.9mΩ @ 42A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W 类型:N沟道 N沟道,40V,130A,6.5mΩ@4.5V
手机版:IRLR3114ZTRPBF
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