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HSM6115

商品型号: HSM6115

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: SOP-8

商品毛重: 0.15g

商品编号: CY503474

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥6.51

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 11A
最大功率耗散(Ta=25°C) 5W
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道

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HSM6115由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSM6115价格参考¥6.506000。HUASHUO(华朔)HSM6115封装/规格:SOP-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道

手机版:HSM6115