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LSC80R350GT

商品型号: LSC80R350GT

制造厂商: LONTEN(龙腾半导体)

封装规格: TO-220

商品毛重: 2.82g

商品编号: CY138564

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 800V
最大功率耗散(Ta=25°C) -
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道

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LSC80R350GT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSC80R350GT价格参考¥1.528600。LONTEN(龙腾半导体)LSC80R350GT封装/规格:TO-220,连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道

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