商品型号: LSC80R350GT
制造厂商: LONTEN(龙腾半导体)
封装规格: TO-220
商品毛重: 2.82g
商品编号: CY138564
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥1.5286
10+
¥1.4415
30+
¥1.3544
100+
¥1.2673
500+
¥1.1802
1000+
¥1.0901
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | - | |
类型 | N沟道 |
LSC80R350GT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSC80R350GT价格参考¥1.528600。LONTEN(龙腾半导体)LSC80R350GT封装/规格:TO-220,连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
手机版:LSC80R350GT
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