商品型号： HFS10N80
制造厂商： SEMIHOW
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.99g
商品编号： CY991039
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.15Ω @ 4.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
数量
价格
1+
￥3.4362
10+
￥3.3653
30+
￥3.2944
100+
￥3.2208
500+
￥3.1472
1000+
￥3.0736
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | |
| 类型 | N沟道 |
HFS10N80由SEMIHOW设计生产,在芯云购商城现货销售,HFS10N80价格参考￥3.436200。SEMIHOWHFS10N80封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.15Ω @ 4.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
手机版：HFS10N80
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